来源:《仪器仪表学报》1989年第03期作者:邵丙铣,张永夏,邵红霖,金曼娜
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集成差分式PH-ISFET的研究

本文扼要地叙述了集成差分式氢离子敏感器的原理、制备和特性。由于具有温度补偿作用的M OSFET 与ISFET 集成在同一芯片上,显著地降低了共模噪声和温度的影响,并保持了良好的灵敏度、线性和选择性等性能指标。 (本文共计1页)......[继续阅读本文]

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