来源:《仪器仪表学报》1985年第01期作者:秦世才,贾香鸾
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MOS器件沟道迁移率的测量

<正> 一、前言MOS器件的许多特性不但与它的几何尺寸和工艺参数有关,还与反型沟道中载流子的迁移率有关,例如跨导g_m、最高工作频率f_r等。因此测量和研究沟道迁移率对提高器件性能是非常有益的。本文根据沟道迁移率与电导的熟知关系,研制成一种沟道迁移率的模拟测量系统,用它能直接描绘出μ~V_G,μ~I_D关系曲线,因而为MOS器件沟道迁移率的测量与研究提供了一种得力工具。 (本文共计1页)......[继续阅读本文]

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