来源:《物理与工程》2017年第04期 作者:罗坚义;李宇东;张园园;林丽娜;黄景诚;
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半导体中电子和空穴的共有化运动与霍尔电压

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霍尔效应被应用于测定半导体的载流子种类(电子或空穴)时,空穴的移动在本质上往往被理解为束缚电子的移动,那么同样是电子的移动,却能产生相反的霍尔电压,引发学习者在理解上的困惑。本论文首先阐述了这个问题的由来,并介绍了利用电子有效质量是如何有效解决这个矛盾的观点;最后,笔者从量子力学的角度出发,运用半导体中电子和空穴共有化运动的思想,试图用更加通俗的方式来理解这个问题,以便于学习者能更加深刻、全面地理解霍尔效应和霍尔电压的由来。(本文共计4页)       [继续阅读本文]

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物理与工程杂志2017年第04期
物理与工程
主办:清华大学
出版:物理与工程杂志编辑部
出版周期:双月
出版地:北京市

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