来源:《电子世界》2019年第14期 作者:邱基华;
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氮化铝陶瓷基板制备工艺的研究

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<正>本文研究了不同烧结助剂添加量,以及烧结温度对氮化铝陶瓷结构及性能的影响。通过对不同制备工艺条件进行研究,优选出当烧结助剂为1.5%,烧结温度为1750~1800℃时,氮化铝陶瓷具有最好的综合性能。前言:氮化铝(AlN)陶瓷作为一种导热率高,热膨胀系数与硅半导体接近的材料,具备良好的绝缘和机械性能,在高频通信、LED照明、新能源汽车、高铁、风能和光伏发电等新兴领域的商业化应用逐渐普及。由于AlN材料制作工艺比较复杂,生产成本较高,目前大部分国产AlN材料尚达(本文共计2页)       [继续阅读本文]

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电子世界杂志2019年第14期
电子世界
主办:中国电子学会
出版:电子世界杂志编辑部
出版周期:半月
出版地:北京市

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