来源:《电子世界》2019年第02期 作者:毛旭峰;黄元竞;吴军;万志远;王志斌;
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HgCdTe液相外延薄膜与衬底之间组分过渡层研究

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<正>通过改变薄膜的生长降温速率和生长时间,生长了一系列薄膜,并用SEM-EDS研究了其组分纵向分布。发现生长的HgCdTe液相外延薄膜与CdZnTe衬底之间的组分过渡层一般都在3μm以下与国外HgCdTe薄膜过渡层的水平一致,且组分过渡层厚度随着生长降温速率的增大或生长时间的减少而变薄。引言:近年来随着红外焦平面器件制备技术的发展,对HgCdTe液相外延材料提出了更高的性能要求(Rogalski A.History of infrared(本文共计2页)       [继续阅读本文]

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电子世界杂志2019年第02期
电子世界
主办:中国电子学会
出版:电子世界杂志编辑部
出版周期:半月
出版地:北京市

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