来源:《电子世界》2018年第06期 作者:邬海峰;朱琳;林倩;
选择字号

基于0.18μm CMOS工艺的0.1-2GHz宽带功率放大器芯片

分享到: 分享到QQ空间

本文介绍了一种基于0.18μm CMOS工艺的0.1–2 GHz宽带射频功率放大器(PA)。该PA采用了双级、晶体管堆叠放大器结构结合电阻匹配和负反馈技术,可以在较小的芯片面积内实现良好的功率增益、增益平坦度和宽带匹配特性。实测结果表明,在5 V供电时,该PA可以在0.1–2 GHz频段内实现18.1±0.6 dB的增益、优于10.5 dB的输入匹配、优于12.6 dB的输出匹配、12%的功率附加效率和优于20 dBm的输出功率。该PA芯片面积仅占用0.52 mm~2,是目前作者所知覆盖该频段并同时实现上述指标的最小面积的CMOS PA芯片。(本文共计2页)       [继续阅读本文]

下载阅读本文     订阅本刊
   

相关文章推荐

电子世界杂志2018年第06期
电子世界
主办:中国电子学会
出版:电子世界杂志编辑部
出版周期:半月
出版地:北京市

本期目录