来源:《电子世界》2015年第23期 作者:赵玉迎;厚娇;常金;姜久兴;赵波;
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低功耗CMOS带隙基准源

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本文采用了CSMC 0.18um的标准CMOS工艺,设计了一种工作在亚阈值区的低功耗CMOS带隙基准源,本设计电路是由纯MOS管组成,不包含双极型晶体管,采用工作在线性区的MOS管代替电阻,减少了芯片的面积,工作在亚阈区的MOS管也使得系统的功耗有所降低。室温下,整个电路系统的电流(包含启动电路)为433.08n A,功耗为649.6n W,版图面积为0.0048mm2,工艺流程与标准CMOS工艺有很好的兼容性。(本文共计4页)       [继续阅读本文]

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电子世界杂志2015年第23期
电子世界
主办:中国电子学会
出版:电子世界杂志编辑部
出版周期:半月
出版地:北京市

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