存储器的终结者FRAM铁电存储器

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<正> 铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料,这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储产品的特性。当我们把电场加载到铁电晶体材料上,晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动,到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个我们拿来记忆逻辑中的“0”,另一个记忆“1”。中心原子能在常温,没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。铁电记忆体不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。 由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞,铁电记忆体(FRAM)拥有高速读写、超低功耗和无限次写入等超级特性。 传统半导体记忆体有易失性记忆体(volatile memory)和非易失性记忆体(non-volatile memory)两大体系,易失性记忆体如SRAM和DRAM,在没有电源的情况下都不能保存数据,但这种存储器拥有高性能、易用等优点。非易失性记忆体如E-(本文共计2页)       [继续阅读本文]