来源:《电子世界》2019年第21期 作者:韩娜;廖学介;杨秀强;庞玉会;
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0.35-2GHz GaN HEMT超宽带高效率功率放大器设计

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<正>设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配网络中,电容器采用MIM陶瓷电容实现,电感采用高阻线实现,匹配电路和管芯之间使用金丝键合,功放封装在24mm×17.4mm金属管壳。测试结果显示,该功率放大器在0.35-2GHz超宽频带内可实现:功率增益26dB,输出功率大于40dBm,功率附加效率40%~50%。引言:功率放大器通常位于射频前端发射机,将输入信(本文共计2页)       [继续阅读本文]

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电子世界杂志2019年第21期
电子世界
主办:中国电子学会
出版:电子世界杂志编辑部
出版周期:半月
出版地:北京市

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