来源:《电子世界》2019年第21期 作者:陈广萍;
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单层MoS2的研究概述

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<正>单层的MoS2作为一种新型半导体材料,在场效应晶体管、光发射二极管、光伏器件和光催化等领域具有极大的潜在应用价值。本文对单层的MoS2的制备、应用及理论研究进行简单的概述。单层Mo S2是一种新型的半导体材料,它的直接带隙禁带宽度为1.8eV,所以它克服了石墨烯零带隙的缺点,同样(本文共计2页)       [继续阅读本文]

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电子世界杂志2019年第21期
电子世界
主办:中国电子学会
出版:电子世界杂志编辑部
出版周期:半月
出版地:北京市

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