来源:《电子世界》2019年第12期 作者:朱文思;
选择字号

基于GaN芯片的星载K波段固态功放研制

分享到: 分享到QQ空间

<正>根据星载固放工作环境特点以及对固放高可靠性要求,本文介绍了一种K波段星载固放,其内部提出了一款良好散热、保证气密的GaN功率芯片封装模块用于功率合成。该GaN功率模块使用金刚石铜作为衬底底部和可伐材料拼接,能够满足气密性和散热需求,同时内部集成了宽带脊波导到同轴转接,易进行空间功率合成。实测气密性优于1×10-1Pa·cm3/s,满足可靠性和工程应用需求。(本文共计3页)       [继续阅读本文]

下载本文订阅本刊

相关文章推荐

电子世界杂志2019年第12期
电子世界
主办:中国电子学会
出版:电子世界杂志编辑部
出版周期:半月
出版地:北京市

本期目录