来源:《电子世界》2019年第09期 作者:李瑛;
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PVT生长GaN纳米线的光学性质研究

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<正>GaN纳米材料以其特有的量子限制效应、库仑阻塞效应、以及高的比表面积和线内极好的单晶性能而日益受到重视。本文采用物理气相输运(PVT)法生长GaN纳米线,反应源采用金属Ga和NH3,具有设备简单、参数的可控性和重复性高,成本较低的优势。针对影响纳米线生长结果的主要因素:温度、衬底和催化剂作了系列研究,使用扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱和拉曼光谱(Raman)对样品进行分析表征。(本文共计2页)       [继续阅读本文]

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电子世界杂志2019年第09期
电子世界
主办:中国电子学会
出版:电子世界杂志编辑部
出版周期:半月
出版地:北京市

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