选择字号

可控硅中频装置最新成果

分享到: 分享到QQ空间

<正> 我厂原8千赫100瓩可控硅中频装置选用3CT-200A做逆变可控硅,采用三路时间分割逆变电路。由于六路可控硅是轮流导通的,每路可控硅只承担总电流的六分之一,因而可以用较小电流容量的可控硅制造出较大功率的中频装置,在效果上相当于用小可控硅并联达到大功率。采用这种电路的不足之处是导致了可控硅数量的增加。在逆变可控硅的电流容量(200安)不变的情况下,能够制造出比100瓩更大功率的中频电源,或者功率仍为100瓩而将可控硅的数量大为减少。基于这种认识,1976年(本文共计1页)       [继续阅读本文]

下载阅读本文     订阅本刊   
如何获取本文>>          如何获取本刊>> 

相关文章推荐

电子技术应用杂志1977年第01期
电子技术应用
主办:华北计算机系统工程研究所
出版:电子技术应用杂志编辑部
出版周期:月刊
出版地:北京市

本期目录